IMT1AT110 دیتاشیت

IMT1AT110

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMT1AT110
حجم فایل 63.134 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IMT1AT110

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IMT1AT110 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon IMT1AT110
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon
  • Part id: 525028

محصولات مشابه